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Geringe Leckströme lnGaAs-Lawinenfotodiodenchip

Der neue InGaAs-Lawinenfotodiodenchip von Andanta mit 200 μm aktivem Chip-Durchmesser ist sowohl im linearen als auch im ‚gequetschten‘ Modus für die Photonenzählung verwendbar. Typischerweise wird die InGaAs-APD bei einer Betriebsspannung von 35 bis 50 V mit einem Multiplikationsfaktor von M = 10 betrieben. Die Durchbruchsspannung beträgt maximal 55 V.

Die planare InGaAs-Avalanchefotodiode (APD) deckt einen Spektralbereich von 0,95 bis 1,65 μm bei einer Empfindlichkeit von 9 A/W (M = 10, λ = 1,55 μm) ab. Die Rauscheigenschaften (Excess Noise Faktor) sind gut und es treten nur geringe Leckströme auf.

Die InGaAs-APD wird bevorzugt im Chip- oder Waferformat geliefert. Auf Kundenwunsch können die Einzelchips aber auch in passende TO- oder CLCC-Gehäuse eingebaut werden. Eine gehäuste Standard-Version im TO46-Gehäuse mit integriertem thermoelektrischem Kühler ist in Kürze erhältlich.

Hauptanwendungen sind Lidar, Abstands- und Geschwindigkeitsmessung über die Pulslaufzeit, Spektralanalyse, faseroptische Kommunikation und Testung, Optische Kohärenztomographie und Sicherheitstechnik.

von mn

www.andanta.de

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