Optische Messtechnik

Siliziumcarbid-Quadrantenphotodiode

18.10.2011

Die erste rein monolithische SiC-Quadrantenphotodiode JQC 5R verfügt über eine aktive Fläche von 4 x 1,25 mm² mit nur 32 µm Abstand zwischen den Elementen. Das bei klassischen Si-Varianten typische Übersprechen zwischen den Quadranten tritt bei dieser Diode nicht auf. Vorteile der Neuentwicklung sind die ca. 1,5-fach höhere spektrale Empfindlichkeit im UV-C-Bereich und eine verbesserte Ausblendung sichtbaren Lichts (visible blindness) aufgrund des 4H-SiC n-Materials. Anwendungsgebiete sind Mess- und Automatisierungsaufgaben im UV-Bereich.

Photonik 5/2011
Firma: ifw optronics GmbH

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