Inkohärente Lichtquellen

MOCVD-Anlage für GaN-LEDs

18.10.2011

Mit der metallorganischen Gasphasenepitaxie-Anlage Aixtron Crius II-L können Kunden nun zwischen einer Waferkonfiguration von 16x4 Zoll oder 69x2 Zoll wählen. Das Design des MOCVD-Reaktors ist für Wafergrößen von 2 bis 8 Zoll optimiert. Die Anlage basiert auf dem Close Coupled Showerhead (CCS)-Konzept für hervorragende Homogenität und Skalierbarkeit. Die laut Hersteller weltweit größte Reaktorkapazität in diesem Prozess zur Schichtabscheidung für Galliumnitrid-Leuchtdioden trägt zur Senkung der Produktionskosten bei.;

Photonik 5/2011
Firma: Aixtron SE

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