Laser

Grüne III-V-Halbleiterlaser erobern die Laserprojektion

12.05.2011 - Photonik 3/2011 |  [ read in English ]

Direkt grüne Diodenlaserstrahlung ohne den Umweg der Frequenzkonversion infraroter Laser war lange Zeit wegen technischer Barrieren nicht herstellbar. Laser im InGaN-Materialsystem erreichten höchstens Emissionswellenlängen von 490 nm, bis diese Grenze 2009 mit ersten Lasern bei 500 nm durchbrochen wurde. Dies führte in den letzten zwei Jahren weltweit zu enormen Forschungsaktivitäten im Rennen universitärer und industrieller Spitzenlabors um direkt grüne Laser. Zur Leistungs- und Effizienzsteigerung grüner InGaN-Laser werden verschiedene Kristallorientierungen untersucht. Den Rekord halten derzeit grüne Laser auf c-plane GaN-Substraten mit bis zu 80 mW optischer cw-Ausgangleistung bei Wellenlängen >520 nm und Effizienzen bis 6% [1].

Photonik 3/2011
Autor(en): Stephan Lutgen, Adrian Avramescu, Teresa Lermer, Jens Müller, Georg Brüderl, Christoph Eichler, Osram Opto Semiconductors, Regensburg

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